DMN25D0UFA-7B备选型号: FDV301N
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 制造商包装标识符
- 无铅代码
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN15 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON240mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)2EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYSINGLE无铅26030DMN25D0AEC-Q101R-PSSO-N2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4 Ω @ 400mA, 4.5V1.2V @ 250μA27.9pF @ 10V0.36nC @ 4.5V25V8V240mA0.24A4Ohm25VROHS3 Compliant---------------------------
- MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-2310 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON220mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-逻辑电平兼容DUAL鸥翼26030----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING4 Ω @ 400mA, 4.5V1.06V @ 250μA9.5pF @ 10V0.7nC @ 4.5V-±8V220mA---ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)TinSOT−23 (TO−236) CASE 318−08 ISSUE ARyesSMD/SMT4Ohm25V220mA150VSingle2A350mW3.2 ns6ns6 ns8V25V25V150°C850 mV1.11mm2.92mm3.05mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
![]() | DMG6301UDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W | 对比 |
![]() | DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | 对比 |






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