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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.88267
10
¥0.832708
100
¥0.785573
500
¥0.741107
1000
¥0.699158
Diodes Incorporated DMG6301UDW-7
- 收藏
- 对比
DMG6301UDW-7
671-DMG6301UDW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG6301UDW-7详情
Diodes Incorporated DMG6301UDW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
质量
6.010099mg
Turn Off Delay Time
6.6 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
300mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
DMG6301
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
2.9 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
4 Ω @ 400mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
27.9pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.36nC @ 4.5V
上升时间
1.8ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
2.3 ns
连续放电电流(ID)
240mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMG6301UDW-7拓展信息
Diodes Incorporated
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