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首页 全部分类 DMN2990UFA-7B vs NTLTD7900ZR2G

DMN2990UFA-7B备选型号: NTLTD7900ZR2G

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMN2990UFA-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 0.51A
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    510mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    无铅
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    990m Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    27.6pF @ 16V
    0.5nC @ 4.5V
    3.3ns
    ±8V
    6.4 ns
    510mA
    8V
    0.99Ohm
    20V
    5.6 pF
    350μm
    650μm
    850μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLTD7900ZR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    防静电
    -
    无铅
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    26m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    15pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    1.17ns
    -
    1.17 ns
    6A
    12V
    0.026Ohm
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    20V
    1.5W
    9A
    NTLTD7900Z
    8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    1.5W
    6A
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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