Diodes Incorporated DMN2990UFA-7B

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

510mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400mW Ta

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

990m Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

27.6pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.5nC @ 4.5V

上升时间

3.3ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

6.4 ns

连续放电电流(ID)

510mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.99Ohm

漏源击穿电压

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

5.6 pF

高度

350μm

长度

650μm

宽度

850μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅