DMN3016LDN-7备选型号: DMC3016LSD-13
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- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN22 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)EAR991.1W未说明未说明1.1W2 N-Channel (Dual)20m Ω @ 11A, 10V2V @ 250μA1415pF @ 15V25.1nC @ 10V30V7.3A逻辑电平门ROHS3 Compliant----------------------
- MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC23 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)EAR991.2W26030-N and P-Channel16m Ω @ 12A, 10V2.3V @ 250μA1415pF @ 15V25.1nC @ 10V-6.2A逻辑电平门ROHS3 Compliant73.992255mgSILICON8.2A 6.2Ae38Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼AEC-Q1012增强型MOSFET9.7 nsSWITCHING17.1nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL40.4 ns20V0.016Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO | 对比 |
![]() | DMC3016LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC | 对比 |




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