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首页 全部分类 DMN3018SSD-13 vs FDS6612A

DMN3018SSD-13备选型号: FDS6612A

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3018SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.5W
    鸥翼
    260
    40
    AEC-Q101
    2
    Single
    增强型MOSFET
    4.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 250μA
    697pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    4.4ns
    30V
    4.1 ns
    6.7A
    20V
    30V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6612A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    2.5W Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    逻辑电平兼容
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    560pF @ 15V
    7.6nC @ 5V
    5ns
    -
    3 ns
    8.4A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    22MOhm
    30V
    DUAL
    8.4A
    2.5W
    ±20V
    1.9V
    30V
    1.9 V
    无
    无铅
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