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首页 全部分类 DMN3018SSS-13 vs DMC3016LSD-13

DMN3018SSS-13备选型号: DMC3016LSD-13

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 最大功率耗散
  • 参考标准
  • 极性/通道类型
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMN3018SSS-13
    Diodes Incorporated
    N-Channel 30 V 21 mO 13.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    7.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    4.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 250μA
    697pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    4.4ns
    ±25V
    4.1 ns
    7.3A
    25V
    5.5A
    30V
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMC3016LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    8.2A 6.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    2
    -
    增强型MOSFET
    9.7 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 12A, 10V
    2.3V @ 250μA
    1415pF @ 15V
    25.1nC @ 10V
    17.1ns
    -
    40.4 ns
    6.2A
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2015
    1.2W
    AEC-Q101
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    0.016Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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