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首页 全部分类 DMN3024LSS-13 vs IRF7902TRPBF

DMN3024LSS-13备选型号: IRF7902TRPBF

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  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Diodes Incorporated
    DMN3024LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    73.992255mg
    6.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    2.9 ns
    N-Channel
    24mOhm @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    12.9nC @ 10V
    3.3ns
    30V
    ±20V
    8 ns
    8.5A
    20V
    30V
    608pF
    24mOhm
    24 mΩ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRF7902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    6.4A 9.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    22.6m Ω @ 6.4A, 10V
    2.25V @ 25μA
    580pF @ 15V
    6.9nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    9.7A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    22.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF7902PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    1.4W 2W
    SWITCHING
    7.3 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
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