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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.695226
10
¥6.316249
100
¥5.958728
500
¥5.621439
1000
¥5.303244
Diodes Incorporated DMN3024LSS-13
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- 对比
DMN3024LSS-13
671-DMN3024LSS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3024LSS-13详情
Diodes Incorporated DMN3024LSS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
30 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
质量
73.992255mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2009
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
接通延迟时间
2.9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
608pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.9nC @ 10V
上升时间
3.3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
8.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
608pF
漏源电阻
24mOhm
最大rds
24 mΩ
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN3024LSS-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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