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首页 全部分类 DMN3024SFG-13 vs IRFTS8342TRPBF

DMN3024SFG-13备选型号: IRFTS8342TRPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 系列
  • 电阻
  • 终端形式
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3024SFG-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A
    15 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    72.007789mg
    SILICON
    7.5A Ta
    2.4V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    S-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 10A, 10V
    479pF @ 15V
    10.5nC @ 10V
    7.9ns
    30V
    ±25V
    3.1 ns
    7.5A
    25V
    6.3A
    0.023Ohm
    30V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFTS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    12 Weeks
    SOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -
    SILICON
    8.2A Ta
    2.35V @ 25μA
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    7.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 8.2A, 10V
    560pF @ 25V
    4.8nC @ 4.5V
    15ns
    -
    ±20V
    8.2 ns
    8.2A
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    HEXFET®
    19MOhm
    鸥翼
    2W
    1.8V
    30V
    80A
    12 ns
    1.8 V
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无铅
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