Diodes Incorporated DMN3024SFG-13

工厂交货时间

15 Weeks

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

72.007789mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

900mW Ta

Turn Off Delay Time

14.6 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 250μA

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

S-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

479pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.5nC @ 10V

上升时间

7.9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

3.1 ns

连续放电电流(ID)

7.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant