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首页 全部分类 DMN3026LVT-7 vs FDC655BN

DMN3026LVT-7备选型号: FDC655BN

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  • 漏源击穿电压
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  • 生命周期状态
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  • 质量
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  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 阈值电压
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  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3026LVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    6.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    643pF
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    2V @ 250μA
    643pF @ 15V
    12.5nC @ 10V
    2.5ns
    ±20V
    3 ns
    6.6A
    20V
    0.023Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC655BN
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    6.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 6.3A, 10V
    3V @ 250μA
    570pF @ 15V
    15nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    4 ns
    6.3A
    20V
    -
    30V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6
    36mg
    PowerTrench®
    yes
    25MOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    30V
    6.3A
    不合格
    1.6W
    1.9V
    150°C
    1.9 V
    90 pF
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无铅
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