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DMN3026LVT-7备选型号: IRLTS6342TRPBF
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
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- 系列
- 电阻
- 功率耗散
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT2623 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON6.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)643pFDUAL鸥翼26030R-PDSO-G61Single增强型MOSFET2.2 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6.5A, 10V2V @ 250μA643pF @ 15V12.5nC @ 10V2.5ns±20V3 ns6.6A20V0.023Ohm30VROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6SILICON8.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011-活跃1 (Unlimited)6EAR99--DUAL鸥翼----Single增强型MOSFET5.4 nsN-ChannelSWITCHING17.5m Ω @ 8.3A, 4.5V1.1V @ 10μA1010pF @ 25V11nC @ 4.5V11ns±12V15 ns8.3A12V-30VROHS3 Compliant6HEXFET®17.5MOhm2W20 ns-400 mV1.3mm3mm1.75mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDC655BN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 | 对比 |
 | DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 | 对比 |
| FDC8886 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET | 对比 |
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