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首页 全部分类 DMN3030LSS-13 vs DMN4468LSS-13

DMN3030LSS-13备选型号: DMN4468LSS-13

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3030LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    850.995985mg
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    3.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 9A, 10V
    2.1V @ 250μA
    741pF @ 15V
    25nC @ 10V
    4.5ns
    ±25V
    14 ns
    9A
    25V
    9A
    30V
    40A
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN4468LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    5.46 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 11.6A, 10V
    1.95V @ 250μA
    867pF @ 10V
    18.85nC @ 10V
    14.53ns
    ±20V
    14.53 ns
    10A
    20V
    -
    -
    50A
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    30V
    30V
    无铅
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