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首页 全部分类 DMN3030LSS-13 vs IRF8313TRPBF

DMN3030LSS-13备选型号: IRF8313TRPBF

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 系列
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3030LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    850.995985mg
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    3.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 9A, 10V
    2.1V @ 250μA
    741pF @ 15V
    25nC @ 10V
    4.5ns
    ±25V
    14 ns
    9A
    25V
    9A
    30V
    40A
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    8.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9nC @ 4.5V
    9.9ns
    -
    4.2 ns
    9.7A
    20V
    -
    30V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    15.5MOhm
    2W
    IRF8313PBF
    Dual
    2W
    30V
    1.8V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    无铅
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