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DMN3053L-7备选型号: DMN3070SSN-7
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-34A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)26030N-Channel45m Ω @ 4A, 10V1.4V @ 250μA676pF @ 15V17.2nC @ 10V30V±12V4AROHS3 Compliant-----------------------
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC5916 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-34.2A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2010e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)--N-Channel40m Ω @ 4.2A, 10V2.1V @ 250μA697pF @ 15V13.2nC @ 10V30V±20V4.2AROHS3 Compliant597.994566mgSILICON3HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼R-PDSO-G31Single增强型MOSFET4.3 nsSWITCHING20.1ns4.1 ns20V0.04Ohm30V1.3mm3.1mm1.7mm无无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | 对比 |
| DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 对比 |
| DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 | 对比 |
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