Diodes Incorporated DMN3070SSN-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

59

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

780mW Ta

Turn Off Delay Time

4.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

4.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

697pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.2nC @ 10V

上升时间

20.1ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

4.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

高度

1.3mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC