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首页 全部分类 DMN3070SSN-7 vs IRLML0030TRPBF

DMN3070SSN-7备选型号: IRLML0030TRPBF

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 系列
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3070SSN-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    59
    7.994566mg
    SILICON
    4.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    4.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 4.2A, 10V
    2.1V @ 250μA
    697pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    20.1ns
    30V
    ±20V
    4.1 ns
    4.2A
    20V
    0.04Ohm
    30V
    1.3mm
    3.1mm
    1.7mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML0030TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    5.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 5.2A, 10V
    2.3V @ 25μA
    382pF @ 15V
    2.6nC @ 4.5V
    4.4ns
    -
    ±20V
    4.4 ns
    5.3A
    20V
    -
    -
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    HEXFET®
    27MOhm
    260
    30
    1.3W
    1.7V
    30V
    17 ns
    150°C
    1.7 V
    无铅
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