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DMN30H4D0L-7备选型号: NX138BKR
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 300V .25A SOT-2323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23250mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)150°C-55°CDMN30H4N-Channel4Ohm @ 300mA, 10V3V @ 250μA187.3pF @ 25V7.6nC @ 10V300V±20V250mA187.3pF4 ΩROHS3 Compliant----------------
MOSFET N-CH 60V TO-236AB4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-265mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)---N-Channel3.5 Ω @ 200mA, 10V1.5V @ 250μA20.2pF @ 30V0.49nC @ 4.5V60V±20V265mA--ROHS3 CompliantSILICON3DUAL鸥翼未说明未说明3IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHINGTO-236AB0.265A3.8Ohm60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
| DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | 对比 |
| DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | 对比 |
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