DMN30H4D0LFDE-7备选型号: BSP317PL6327HTSA1
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN22 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad550mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)N-Channel4 Ω @ 300mA, 10V2.8V @ 250μA187.3pF @ 25V7.6nC @ 10V300V±20V550mAROHS3 Compliant-----------
- MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA430mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002-Obsolete1 (Unlimited)--P-Channel4Ohm @ 430mA, 10V2V @ 370μA262pF @ 25V15.1nC @ 10V250V±20V430mA符合RoHS标准PG-SOT223-4SIPMOS®150°C-55°C5.7 ns11.1ns67 ns20V262pF4 Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP317PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 | 对比 |
![]() | FQT2P25TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 250V 0.55A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| PCP1405-TD-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 | 对比 |





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