Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7
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DMN30H4D0LFDE-7
671-DMN30H4D0LFDE-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
1最小包装量--
DMN30H4D0LFDE-7详情
Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
22 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
550mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V 10V
Power Dissipation (Max)
630mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4 Ω @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
187.3pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
300V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
550mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN30H4D0LFDE-7拓展信息
Diodes Incorporated
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