您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMN3190LDW-13 vs DMN63D8LDW-7

DMN3190LDW-13备选型号: DMN63D8LDW-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3190LDW-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    320mW
    鸥翼
    260
    30
    6
    AEC-Q101
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    190m Ω @ 1.3A, 10V
    2.8V @ 250μA
    87pF @ 20V
    2nC @ 10V
    8.9ns
    30V
    15.6 ns
    1A
    20V
    1A
    0.19Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    300mW
    鸥翼
    260
    40
    -
    AEC-Q101
    -
    增强型MOSFET
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    22pF @ 25V
    870nC @ 10V
    3.2ns
    30V
    6.3 ns
    220mA
    20V
    -
    4.5Ohm
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    6.010099mg
    yes
    DMN63D8L
    Dual
    300mW
    1.5V
    30V
    150°C
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 对比
MCH6661-TL-W MCH6661-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-SMD, Flat Leads ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V 对比
NTJS4160NT1G NTJS4160NT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 对比