DMN32D2LV-7备选型号: DMG1029SV-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 最大结点温度(Tj)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 无铅
- Dual N-Channel 30 V 2.2 Ohm 450 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-56316 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6663.005049mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)400mWFLAT26040DMN32D2LV6R-PDSO-F62Dual增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING1.2 Ω @ 100mA, 4V1.2V @ 250μA39pF @ 3V30V400mA10V0.4A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.6mm1.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant--------------
- MOSFET N/P-CH 60V SOT56316 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6663.005049mgSILICON500mA 360mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)450mWFLAT26040DMG10296---增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING1.7 Ω @ 500mA, 10V2.5V @ 250μA30pF @ 25V-500mA20V0.37A60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.7mm1.25mm无SVHC无ROHS3 Compliant64OhmHIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLDDUAL450mW5.5 ns0.3nC @ 4.5V7.9nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL11.6 ns2.5V150°C5 pF无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG1029SV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 60V SOT563 | 对比 |
![]() | DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K | 对比 |
![]() | DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 | 对比 |



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