注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.408653
10
¥0.385522
100
¥0.3637
500
¥0.343113
1000
¥0.323692
Diodes Incorporated DMP2004VK-7
- 收藏
- 对比
DMP2004VK-7
671-DMP2004VK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2004VK-7详情
Diodes Incorporated DMP2004VK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
900mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
最大功率耗散
400mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMP2004VK
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
400mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
900m Ω @ 430mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
175pF @ 16V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
530mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.53A
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
600μm
长度
1.6mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP2004VK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。