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DMN3730UFB-7备选型号: FDME1023PZT
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN17 Weeks表面贴装表面贴装3-UFDFN3SILICON750mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYBOTTOM无铅260403不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET690mWDRAIN3.5 nsN-ChannelSWITCHING460m Ω @ 200mA, 4.5V950mV @ 250μA64.3pF @ 25V1.6nC @ 4.5V2.8ns±8V13 ns910mA450mV8V0.75A0.46Ohm30V无SVHCROHS3 Compliant无铅---------------
MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench16 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad6SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)ESD PROTECTION--------增强型MOSFET1.3WDRAIN4.7 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING142m Ω @ 2.3A, 4.5V1V @ 250μA405pF @ 10V7.7nC @ 4.5V4.8ns-16 ns2.6A-600mV8V---20V无SVHCROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)25.2mgPowerTrench®1.4WDual600mW20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-600 mV75 pF500μm1.6mm1.6mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP31D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN | 对比 |
| FDME1023PZT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench | 对比 |
 | DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900 | 对比 |
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