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DMN4031SSDQ-13备选型号: DMN3018SSD-13
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- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 漏源电压 (Vdss)
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- 晶体管元件材料
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- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 下降时间（典型值）
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- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC7 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.42W未说明未说明1.42W2 N-Channel (Dual)31m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA945pF @ 20V18.6nC @ 10V40V5.2AStandardROHS3 Compliant------------------------- MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A15 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.5W26040-2 N-Channel (Dual)22m Ω @ 10A, 10V2.1V @ 250μA697pF @ 15V13.2nC @ 10V30V6.7A逻辑电平门ROHS3 Compliant873.992255mgSILICON2yes8HIGH RELIABILITY鸥翼AEC-Q1012Single增强型MOSFET4.3 nsSWITCHING4.4ns4.1 ns20V30V60AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.5mm4.95mm3.95mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC4047LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC | 对比 |
| DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A | 对比 |
 | FDS8949 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL | 对比 |
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