注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.527963
10
¥2.384871
100
¥2.249878
500
¥2.122526
1000
¥2.002383
Diodes Incorporated DMC4047LSD-13
- 收藏
- 对比
DMC4047LSD-13
671-DMC4047LSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC4047LSD-13详情
Diodes Incorporated DMC4047LSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A 5.1A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
34.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.8W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
8.7 ns
功率 - 最大
1.3W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1060pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.1nC @ 10V
上升时间
19.6ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
25.5 ns
连续放电电流(ID)
5.1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMC4047LSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。