DMN6040SFDE-7备选型号: DMP1245UFCL-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    无铅
    260
    40
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.03W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 4.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1287pF @ 25V
    22.4nC @ 10V
    8.1ns
    ±20V
    4 ns
    5.3A
    20V
    0.038Ohm
    60V
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    SILICON
    6.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    R-PDSO-N3
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    15.2 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 4A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    1357.4pF @ 10V
    26.1nC @ 8V
    33.11ns
    ±8V
    217.64 ns
    6.6A
    8V
    0.029Ohm
    -12V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    Gold
    6
    Single
    12V
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