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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.38729
10
¥4.138953
100
¥3.904677
500
¥3.683656
1000
¥3.475145
Diodes Incorporated DMP1045UFY4-7
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- 对比
DMP1045UFY4-7
671-DMP1045UFY4-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
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MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP1045UFY4-7详情
Diodes Incorporated DMP1045UFY4-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
Turn Off Delay Time
74 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
配置
Single
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1291pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23.7nC @ 8V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
75 ns
连续放电电流(ID)
5.5A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP1045UFY4-7拓展信息
Diodes Incorporated
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