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DMN6040SSDQ-13备选型号: DMC6040SSD-13
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 质量
- 端子位置
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-818 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.3W鸥翼未说明未说明AEC-Q101SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING40m Ω @ 4.5A, 10V3V @ 250μA1287pF @ 25V22.4nC @ 10V60V5A5A0.04Ohm60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant---------- MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO23 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON5.1A 3.1A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.24W鸥翼26030AEC-Q101-增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING40m Ω @ 8A, 10V3V @ 250μA1130pF @ 15V20.8nC @ 10V60V3.1A5.1A0.04Ohm-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant73.992255mgDUAL23.7 ns6.3nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL26.1 ns20V-60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO | 对比 |
| DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC | 对比 |
| DMP6050SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO | 对比 |
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