Diodes Incorporated DMC6040SSD-13
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DMC6040SSD-13
671-DMC6040SSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
1最小包装量--
DMC6040SSD-13详情
Diodes Incorporated DMC6040SSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.1A 3.1A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
58.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.24W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
3.7 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1130pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20.8nC @ 10V
上升时间
6.3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
26.1 ns
连续放电电流(ID)
3.1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.04Ohm
漏源击穿电压
-60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMC6040SSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
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