我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
DMN6140L-13备选型号: NX138BKR
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 引脚数量
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT2315 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON1.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY8541.29.00.95DUAL鸥翼未说明未说明DMN6140AEC-Q101R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING140m Ω @ 1.8A, 10V3V @ 250μA315pF @ 40V8.6nC @ 10V60V±20V1.6A0.14Ohm60VROHS3 Compliant---
MOSFET N-CH 60V TO-236AB4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON265mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016-活跃1 (Unlimited)3----DUAL鸥翼未说明未说明-IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING3.5 Ω @ 200mA, 10V1.5V @ 250μA20.2pF @ 30V0.49nC @ 4.5V60V±20V265mA3.8Ohm60VROHS3 Compliant3TO-236AB0.265A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN62D0U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.38A | 对比 |
| NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
 | IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 对比 |
哦! 它是空的。