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DMN63D8L-13备选型号: DMN61D9U-7
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- 零件状态
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 无铅代码
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT2314 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装350mW Ta2015Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel2.8 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 250μA23.2pF @ 25V0.9nC @ 10V30V±20V350mAROHS3 Compliant-------- MOSFET N-CH 60V 0.38A14 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装380mA Ta2015Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明未说明N-Channel2 Ω @ 50mA, 5V1V @ 250μA28.5pF @ 30V0.4nC @ 4.5V60V±20V380mAROHS3 CompliantTin3yes2.1 ns1.8ns8.4 ns20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.38A | 对比 |
 | NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
| DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.38A | 对比 |
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