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DMN63D8LDWQ-7备选型号: DMN33D8LDW-7
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 输入电容
- 场效应管特性
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
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- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT36315 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363220mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)150°C-55°C300mW300mW2 N-Channel (Dual)2.8Ohm @ 250mA, 10V1.5V @ 250μA22pF @ 25V0.87nC @ 10V30V220mA22pFStandard2.8 ΩROHS3 Compliant-------------------- MOSFET 2N-CH 30V 0.25A16 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)--350mW350mW2 N-Channel (Dual)2.4 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 100μA48pF @ 5V1.23nC @ 10V30V250mA-Standard-ROHS3 CompliantSILICON2014e36EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY鸥翼26030AEC-Q101R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING0.25A3Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | 对比 |
| DMG6301UDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W | 对比 |
| DMN33D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A | 对比 |
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