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DMN63D8LV-7备选型号: 2N7002VC-7
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
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- RoHS状态
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- 触点镀层
- 质量
- 无铅代码
- 引脚数量
- 反馈上限-最大值 (Crss)
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MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT56316 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2007e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY450mWFLAT26030DMN63D8LAEC-Q101Dual增强型MOSFET450mW3.3 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING2.8 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 250μA22pF @ 25V0.87nC @ 10V3.2ns30V6.3 ns260mA1.5V20V4.5Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.7mm1.25mm无SVHCROHS3 Compliant无铅------- MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-56316 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3活跃1 (Unlimited)6EAR99-HIGH RELIABILITY150mWFLAT26040--Dual增强型MOSFET150mW50 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5 Ω @ 50mA, 5V2.5V @ 250μA50pF @ 25V--60V-280mA-20V-60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard600μm1.6mm1.2mm无SVHCROHS3 Compliant无铅Tin3.005049mgyes65 pF无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 | 对比 |
| 2N7002VC-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 | 对比 |
 | SCH1337-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-563, SOT-666 | ON SEMICONDUCTOR SCH1337-TL-W MOSFET Transistor, P Channel, -2 A, -30 V, 0.115 ohm, -10 V, -2.6 V | 对比 |
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