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首页 全部分类 DMN63D8LV-7 vs SCH1337-TL-W

DMN63D8LV-7备选型号: SCH1337-TL-W

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Vgs（最大值）
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    450mW
    FLAT
    260
    30
    DMN63D8L
    AEC-Q101
    Dual
    增强型MOSFET
    450mW
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    22pF @ 25V
    0.87nC @ 10V
    3.2ns
    30V
    6.3 ns
    260mA
    1.5V
    20V
    4.5Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    SCH1337-TL-W
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR SCH1337-TL-W MOSFET Transistor, P Channel, -2 A, -30 V, 0.115 ohm, -10 V, -2.6 V
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    -
    2A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.5 ns
    P-Channel
    -
    150m Ω @ 1A, 10V
    2.6V @ 1mA
    172pF @ 10V
    3.9nC @ 10V
    4.2ns
    30V
    10.6 ns
    2A
    -2.6V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    ±20V
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