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DMN65D8LQ-13备选型号: NX138BKR
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- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 60V SOT2314 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3310mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel3 Ω @ 115mA, 10V2V @ 250μA22pF @ 25V0.87nC @ 10V60V±20V310mAROHS3 Compliant--------------
MOSFET N-CH 60V TO-236AB4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3265mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016--活跃1 (Unlimited)--未说明未说明N-Channel3.5 Ω @ 200mA, 10V1.5V @ 250μA20.2pF @ 30V0.49nC @ 4.5V60V±20V265mAROHS3 CompliantSILICON3DUAL鸥翼3IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHINGTO-236AB0.265A3.8Ohm60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | 对比 |
| NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
| DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.38A | 对比 |
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