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首页 全部分类 DMNH3010LK3-13 vs FDD850N10LD

DMNH3010LK3-13备选型号: FDD850N10LD

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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMNH3010LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 30V 15A TO252
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    TO-252-4L
    15A Ta 55A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    N-Channel
    9.5mOhm @ 18A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2075pF @ 15V
    37nC @ 10V
    30V
    ±20V
    55A
    2.075nF
    9.5 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    FDD850N10LD
    ON Semiconductor
    MOSF N CH 100V 15.7A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    -
    15.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    75m Ω @ 12A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1465pF @ 25V
    28.9nC @ 10V
    -
    ±20V
    15.3A
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    3
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    SWITCHING
    21ns
    8 ns
    20V
    0.096Ohm
    100V
    46A
    41 mJ
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
  • 添加型号
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