ON Semiconductor FDD850N10LD

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

42W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1465pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28.9nC @ 10V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

15.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.096Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

46A

雪崩能量等级（Eas）

41 mJ

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准