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首页 全部分类 DMNH6022SSD-13 vs IRF7478TRPBF

DMNH6022SSD-13备选型号: IRF7478TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 电阻
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  • 额定电流
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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMNH6022SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    7.1A 22.6A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.5W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    27m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    2127pF @ 25V
    32nC @ 10V
    60V
    22.6A
    7.1A
    0.03Ohm
    45A
    60V
    24 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRF7478TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    26m Ω @ 4.2A, 10V
    3V @ 250μA
    1740pF @ 25V
    31nC @ 4.5V
    -
    4.2A
    7A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    8
    26MOhm
    60V
    4.2A
    1
    Single
    2.5W
    7.7 ns
    2.6ns
    ±20V
    13 ns
    3V
    20V
    60V
    150°C
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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IRF7478TRPBF IRF7478TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC 对比