DMNH6042SPS-13备选型号: BUK9M53-60EX
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET NCH 60V 24A POWERDI17 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8PowerDI5060-81.5W Ta3V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016活跃1 (Unlimited)175°C-55°CN-Channel50mOhm @ 5.1A, 10V584pF @ 25V8.8nC @ 10V60V±20V24A584pF34mOhm50 mΩROHS3 Compliant--------------
- MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK26 WeeksSOT-1210, 8-LFPAK33表面贴装表面贴装8-17A Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2016活跃1 (Unlimited)--N-Channel46m Ω @ 5A, 10V683pF @ 25V6nC @ 5V60V±10V17A---ROHS3 CompliantSILICON4SINGLE鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.053Ohm69A60V8.7 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | BUK7M42-60EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | 对比 |
![]() | BUK9M53-60EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK | 对比 |





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