Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

68W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

已出版

2006

系列

OptiMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 26μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

621pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

30A

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.047Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅