DMNH6042SPS-13备选型号: IRFR4105TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET NCH 60V 24A POWERDI17 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8PowerDI5060-81.5W Ta3V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016活跃1 (Unlimited)175°C-55°CN-Channel50mOhm @ 5.1A, 10V584pF @ 25V8.8nC @ 10V60V±20V24A584pF34mOhm50 mΩROHS3 Compliant-------------------------------------
- MOSFET N-CH 55V 27A DPAK12 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Surface Mount, Through Hole表面贴装3-27A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)--N-Channel45m Ω @ 16A, 10V700pF @ 25V34nC @ 10V-±20V27A---ROHS3 CompliantSILICONe32SMD/SMTEAR9945mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE55V鸥翼26025A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET48WDRAIN7 nsSWITCHING49ns40 ns4VTO-252AA20V20A55V55V65 mJ86 ns4 V2.3876mm6.7056mm2.38mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | BUK7M42-60EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | 对比 |
![]() | BUK9M53-60EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK | 对比 |






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