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DMP1055UFDB-7备选型号: DMN1045UFR4-7
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- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 场效应管特性
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
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- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN202016 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012014活跃1 (Unlimited)EAR991.36W未说明未说明1.36W2 P-Channel (Dual)59m Ω @ 3.6A, 4.5V1V @ 250μA1028pF @ 6V20.8nC @ 8V12V3.9AStandardROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-322 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2014活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明未说明-N-Channel45m Ω @ 3.2A, 4.5V1V @ 250μA375pF @ 10V4.8nC @ 4.5V12V3.2A-ROHS3 Compliant3SILICON3.2A Tae43Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL无铅SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING±8V0.064Ohm12V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN1045UFR4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 | 对比 |
 | MCH6336-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 | 对比 |
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