Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 3.2A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

375pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

3.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.064Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

RoHS状态

ROHS3 Compliant