DMP1245UFCL-7备选型号: NTLTD7900ZR2G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 无铅
- MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF17 WeeksGold表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN6SILICON6.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL6R-PDSO-N31Single增强型MOSFETDRAIN15.2 nsP-ChannelSWITCHING29m Ω @ 4A, 4.5V950mV @ 250μA1357.4pF @ 10V26.1nC @ 8V33.11ns12V±8V217.64 ns6.6A8V0.029Ohm-12V无SVHC无ROHS3 Compliant-------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO--表面贴装表面贴装8-VDFN Exposed Pad8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3Obsolete1 (Unlimited)8EAR99-8---增强型MOSFETDRAIN-2 N-Channel (Dual)SWITCHING26m Ω @ 6.5A, 4.5V1V @ 250μA15pF @ 16V18nC @ 4.5V1.17ns--1.17 ns6A12V0.026Ohm20V--符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)yesTin (Sn)防静电20V1.5W无铅2609A40NTLTD7900Z不合格COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR1.5W6A30AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN1150UFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | 对比 |
![]() | DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerUDFN | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | 对比 |
![]() | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 对比 |






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