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首页 全部分类 DMP2035UVT-7 vs DMG6601LVT-7

DMP2035UVT-7备选型号: DMG6601LVT-7

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 极性/通道类型
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMP2035UVT-7
    Diodes Incorporated
    P-Channel 20 V 35 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT26-6
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    35mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    17 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    2400pF @ 10V
    23.1nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    ±12V
    42 ns
    6A
    12V
    5.2A
    -20V
    24A
    900μm
    2.9mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG6601LVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    26
    SILICON
    3.8A 2.5A
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    -
    2
    -
    增强型MOSFET
    850mW
    1.7 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 3.4A, 10V
    1.5V @ 250μA
    422pF @ 15V
    12.3nC @ 10V
    4.6ns
    -
    -
    2.2 ns
    2.5A
    12V
    3.8A
    30V
    -
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold
    850mW
    DMG6601
    AEC-Q101
    R-PDSO-G6
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    0.055Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
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