Diodes Incorporated DMN4060SVT-7
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DMN4060SVT-7
671-DMN4060SVT-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
1最小包装量--
DMN4060SVT-7详情
Diodes Incorporated DMN4060SVT-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.2W Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
20.1 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
6.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
46m Ω @ 4.3A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1287pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.4nC @ 10V
上升时间
8.1ns
漏源电压 (Vdss)
45V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
4.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
45V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN4060SVT-7拓展信息
Diodes Incorporated
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