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首页 全部分类 DMP2038USS-13 vs FDS9926A

DMP2038USS-13备选型号: FDS9926A

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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 无铅代码
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  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP2038USS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 1496pF 14.4nC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.496nF
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    13.7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 5A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1496pF @ 15V
    14.4nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    ±8V
    35.5 ns
    6.5A
    8V
    25A
    20V
    26 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9926A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    650pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    9ns
    -
    -
    4 ns
    6.5A
    10V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    PowerTrench®
    yes
    SMD/SMT
    20V
    2W
    6.5A
    2W
    900mW
    1V
    0.03Ohm
    20V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1 V
    5mm
    1.5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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