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首页 全部分类 DMP2038USS-13 vs NTMS4N01R2G

DMP2038USS-13备选型号: NTMS4N01R2G

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP2038USS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 1496pF 14.4nC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.496nF
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    13.7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 5A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1496pF @ 15V
    14.4nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    ±8V
    35.5 ns
    6.5A
    8V
    25A
    20V
    26 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMS4N01R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 4.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1200pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    35ns
    -
    ±10V
    50 ns
    4.2A
    10V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
    yes
    SMD/SMT
    20V
    unknown
    4.2A
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.5W
    950mV
    3.3A
    0.04Ohm
    20V
    20V
    950 mV
    100 pF
    无SVHC
    无铅
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